ブックタイトル実装技術5月号2020年特別編集版
- ページ
- 25/34
このページは 実装技術5月号2020年特別編集版 の電子ブックに掲載されている25ページの概要です。
秒後に電子ブックの対象ページへ移動します。
「ブックを開く」ボタンをクリックすると今すぐブックを開きます。
概要
実装技術5月号2020年特別編集版
352. 有機トランジスタ用ゲート絶縁膜 OTFTのゲート絶縁膜は、ポリマ溶液の低温印刷で作成される。重合するポリマとしては、PVP（p-vinyl phenol）が一般的で、図4に重合の様子を示す。通常用いられるゲート絶縁膜は、200～500nm 程度で、電気的な絶縁性は十分である。 最近、図4に示したSU8という市販のフォトレジストの光反応で重合する材料が開発されている。図4 OTFTのゲート絶縁物に使用するプリント材料。1～3は比較的低温ではあるが、熱反応により形成する。4のSU8は、紫外線照射によって形成する（資料は、時任研のご提供による）図3 印刷可能な低分子の有機半導体。1～6はp型、7～9はn型半導体である（資料は、時任研のご提供による）