ブックタイトル実装技術12月号2018年特別編集版

概要

実装技術12月号2018年特別編集版

233????????????連????????業????????????????（??の??）半導体実装2りから値を下げる動きが見られてきている。世界販売高は依然増勢を維持しているが、今後の展開には予断を許さないところとなっている。　このような市場状況の中、3 次元実装関係は、●3D NANDに代表される、メモリ半導体での多層化による　大容量化●新分野の高性能化、高機能化に向けた貫通電極（TSV：　Through Silicon Via）、シリコンインタポーザなどを駆　使したSystem in Package（SiP）化のアプローチが前面に出て、それぞれ大きく引っ張る技術そして業界模様が続いている。Moore則後の展開の実現手段の大きな1つとして 3次元実装へ注目度が一層高まってきているこの1年の切り口を以下に示す。※スマートフォンはもちろん、データセンター用のSSDs（Solid State Drives）はじめ、DRAMそして3D NANDフラッシュメモリ市場が活況を呈しており、当面そして今後の半導体設備投資の中核を占めている。3Dというキーワードで注目すると、フラッシュメモリの大容量化に向けた層数が分かりやすいパラメータとして挙げられるが、DRAMを合わせて3次元実装技術の効用が発揮される現状最も熱い一大ビジネス分野となっている。※グローバルな半導体市場の視点では、中国の国家5ヶ年計画に沿った半導体業界の構築に向けて、世界の大半を占める中国での新規工場建設、引き続くM&A（企業の買収・合併）など中国関連の動きがいっそう目立ってきているが、ここでも3D NANDフラッシュの工場、OSAT（OutsourceAssembly and Test）はじめ3 次元実装技術に1つの重きが置かれている。※本年も9月に発表されたApple社の新型iPhoneでは引き続きTSMCの製造技術が盛り込まれており、最先端微細化およびfan-out実装を用いたプロセッサが引き続き採用され、fan-out wafer level packages（FOWLP）および同社のIntegrated Fan - Out （InFO）技術が3 次元実装関連の注目キーワードとして一層のプレゼンス増大を感じさせている。※貫通電極（TSV ： Through Silicon Via）は、スーパーコンピュータ、超高速通信など高性能が最優先の分野では大方の前提になっている。主に経済性から、TSVを用いない様々なアプローチも盛んに行われている。インテルからは配線チップを基板に内蔵した技術、EMIB（Embedded Multi-DieInterconnect Bridge）が推進されている。※ System in Package（SiP）に向けたアプローチは一段と分野が広がっており、シリコンインタポーザ、TSVなどを駆使して機器の小型化、高性能化に向かう流れがますます強まってきている。IoT、スマートエレクトロニクスなど新分野の台頭が、大きく加速している状況がある。今後の技術展開に向けたロードマップにおいては、SiPを推進するHeterogeneous Integrationがキーワードとしての存在感を高めている。　当社は3次元実装分野の先鞭を切って、2004年後半から技術開発、2006 年から2007 年の技術ライセンス、2008年以降の広範な3次元実装関連試作対応と、3次元半導体のビジネス対応のステップを踏んで重ねてきている。　本稿では、当社の試作サービスの取り組みの概要を示した後、ビジネス化の色合いをいっそう濃くして多彩な展開が急速に展開している3 次元半導体関連の業界のこの1 年の動きを切り口ごと時間軸の順にまとめている。　　　ザイキューブの試作対応の取り組み　TSV（貫通電極）、シリコンインタポーザをはじめ3 次元半導体実装技術について事業展開を行ってきている当社の概要を、図1に示す。試作対応活動は福岡県の三次元半導体研究センターを主体に行っている。（株）ザイキューブ図1　会社概要