ブックタイトル実装技術12月号2018年

概要

実装技術12月号2018年

383????????????連????????業????????????????（??の??）半導体実装（株）ザイキューブ達していないとして、アナリストたちは該新製品のインパクトに懐疑的である。64-層, 3-bit-per-cell半導体の計画が、ライバルのIntel, Micron, Samsung, およびToshiba/WDが256 Gビット以上、96-層, 4-bit-per-cellデバイスを発表あるいは出荷しているときにあらわれている。Samsungは同社半導体が最大1.4 Gbits/sのデータレートをサポートするとしているいっぽう、他は1.0 Gbits/s動作の見込みである。YMTCでのいわゆるXstackingアプローチは、NANDとI/Oarraysを別々のdieに作ってbit密度を高める狙い、該半導体は、何100万ものYMTCの言う単一プロセスstepでつくられるmetal vertical interconnect accessesと接合される。　図16はYMTCのWuhan（湖北省武漢市）のメモリ半導体工場の外観である。◎China to mass produce 3D chips next year,challenging Samsung- Beijing-backed Yangtze Memory to join marketduring a glut- YMT to put 3D NAND flash into volume productionin 2019（8月7日付け Nikkei Asian Review（ Japan））　→ Yangtze Memory Technology（YMT）が、同社64-図16　Yangtze Memory's ＄24 billion memory chip project in Wuhan.層Xtacking 3D NANDフラッシュメモリデバイスを2019年までに量産するとのこと。この中国の半導体メーカーは、今週のSilicon ValleyでのFlash Memory Summit（2018年8 月7-9日：Santa Clara Convention Center）にて該メモリを披露している。　YMTCが加わった現下の3D NANDフラッシュメモリの業界模様があらわされている。◎3D NAND Flash Wars Begin- Market overcrowding, more efficientmanufacturing, and growing list of scaling issuescreate a challenging competitive landscape.- The 3D NAND flash battle has a new combatant（8月20日付け Semiconductor Engineering）　→ 3D NANDフラッシュメモリ市場に中国のYangtzeMemory Technologiesが新たに参入、従来のサプライヤは引き続き1つのメモリ半導体に96層および128層のstackingに向けて進めている。「最高の数のstacksの競い合い」と、TechInsightsのアナリスト、Jeongdong Choe氏。