ブックタイトル実装技術12月号2018年

概要

実装技術12月号2018年

343????????????連????????業????????????????（??の??）半導体実装（株）ザイキューブ◎Micron breaks ground on new flash memoryfabrication plant in Singapore- Micron starts building 3D NAND flash memoryfab in Singapore（4月5日付け The Business Times（ Singapore））　→Micron Technologyが水曜4日、3D NANDフラッシュメモリ製品の今後の製造需要に対応するために新たなクリーンルームスペースを加えるようシンガポール北部で起工。該新拠点は「multi-billion dollar投資」としており、向こう5 年以上にわたって装備していき、新たに1,000 jobsを加える。　こんどはインテルとマイクロンの連携についての1 年の動きである。まずは、共同で取り組む3D Xpointの工場拡張を昨年の秋に発表している。◎Intel/Micronの3D Xpoint工場を拡張（11月14日付け セミコンダクタポータル記事）　IntelとMicron Technologyは、両社合弁の不揮発性メモリ会社であるIM Flashが米国ユタ州レーイにあるIM Flashの工場の内、ビルディング60（B60）の拡張工事を終えたと発表した。ここは3D Xpointメモリの主力工場である。　3D Xpoint（スリーディ・クロスポイントと読む）メモリは、CMOS回路を作製した配線層内にメモリアレイ設ける構造の新型メモリで、それを使った製品をIntelはOptaneというブランド名を使っている。これは、メモリシステムが単なるメモリチップだけではなく、メモリおよびストレージコントローラ、配線IP、そしてソフトウエアがあって初めて不揮発性メモリデバイスができるからだ。このデバイスはDRAMとNANDフラッシュとの中間のスピードを持ち、PCに使うと、NANDフラッシュに比べて電子メールの立ち上げが5.8 倍、ブラウザの立ち上げは5 倍、それぞれ高速になるという。◎Intel, Micron increase 3D XPoint manufacturingcapacity with IM Flash fab expansion（11月14日付け DIGITIMES）　→ IntelとMicron Technologyが、IM Flash拠点（Lehi,Utah）でのBuilding 60（B60）拡張の完了を発表、この拡張fabでは、Intel Optane技術のbuilding block、3DXPointメモリmediaが生産される。該Optane技術には、clients向けIntel Optaneメモリ、最近発表されたIntelOptane SSD 900PシリーズおよびIntel Optane SSDDC P4800Xシリーズの新たな容量および外形が含まれる。IM Flash合弁は、IntelおよびMicron両社用のnon-volatileメモリ製造に向けて2006 年に設立、SSDs, phones, タブレットなど用のNANDからスタートしている。2015 年に、IM Flashは25 年ぶりのまったく新しいメモリmedia、3DXPoint技術の製造を開始、該技術は、あらゆる型の顧客に向けてデータニーズの急速な拡大に対応するよう開発された。3D XPoint技術は、NANDより大きく高速に状態を切り換えられるcellおよびarrayアーキテクチャーが得られるcrosspoint構造を用いている。　今年に入って早々のこと、両社は3D NANDの将来世代はそれぞれ独立にやっていくこと、そして3D XPointについては引き続きいっしょに開発を進めて行くことを以下の通り明らかにしている。◎Micron and Intel announce update to NANDmemory joint development program（1月8日付け ELECTROIQ）→ MicronとIntelが、業界を主導するNAND技術の開発、市場化を支えているNAND共同開発連携のアップデートを発表、3D NANDの将来世代について独立に取り組む両社相互合意が入っている。両社は3D NAND技術の第3 世代の開発完了で合意、今年の終わりに向けて届けられ、2019年始めに及ぶ。該技術nodeの先では両社は独立に3D NANDを開発、それぞれ個々のビジネスニーズに向けて技術および製品をより良く最適化していく。MicronおよびIntelは、それぞれの将来nodesの3D NAND技術開発のリズムに変化はないと見ており、ともに現在は3D NAND（64 層）技術の第2 世代ベースの製品を立ち上げている。◎Intel, Micron to Shelve NAND Flash Partnership（1月9日付け EE Times）→ IntelとMicronが、来年始めまでにNANDフラッシュメモリを巡る長期間の連携を中止する計画とのこと。月曜8日に出した共同ステートメントで両社は、今年後半および2019年にかけて3D NANDの第3 世代の開発を完了後、その先の3D NANDについては「独立に取り組む」としている。3DXPoint non-volatileメモリの開発および製造は引き続き協働していく。Objective Analysisのprincipalアナリスト、Jim Handy氏によると、2 年前に始まったIntelの3DNANDを作るDalian（大連）, Chinaの300-mm fab立ち上げにより、Micronへのサプライヤとしての依存が減っている。