ブックタイトル実装技術12月号2018年

概要

実装技術12月号2018年

323????????????連????????業????????????????（??の??）半導体実装（株）ザイキューブ◎Toshiba Memory Corporation startsconstruction of the first fabrication facility inKitakami City, Iwate Prefecture（7月24日付け ELECTROIQ）→東芝メモリが、岩手県北上市で最初の半導体製造拠点、K1 の起工式を行い、2019 年秋に完成すると、3Dフラッシュメモリの生産に集中する世界最先端製造operationsの1つになる。同社固有の3Dフラッシュメモリ、BiCS FLASH（TM）を進めて現在主導している。　東芝メモリと連携するWestern Digitalであるが、独自には新たな3D NAND embedded flash drivesが次のようにあらわされている。◎Western Digital unveils new portfolio of 3DNAND embedded flash drives（12月6日付け DIGITIMES）　→ Western Digitalが、先端iNAND embedded flashdrives（EFDs）という新しいportfolioを投入、スマートフォン・ユーザがdata-driven応用&体験の完全な可能性を開けるようにする。Western Digitalの64-層3D NAND技術および先端UFSおよびeMMCインタフェース技術にテコ入れ、該新iNAND 8521およびiNAND 7550 EFDsにより抜群のデータ性能および高いストレージcapacityが得られる。　東芝メモリとWestern Digitalが一緒に発表している四日市の新しい3D NAND フラッシュfabのオープン、この9月の動きである。◎Toshiba Memory, Western Digital open new 3DNAND flash fab- 3D NAND flash fab opened by Toshiba Memory,Western Digital（9月21日付け DIGITIMES）　→東芝メモリとWestern Digitalが、3D NANDフラッシュメモリデバイスを生産する三重県の新しいFab 6を正式にオープン、該拠点の建設は2017 年2月に始まった。Fab 6に隣接して該合弁のメモリR&Dセンターがあり、3 月にオープンしている。　次に、インテルのこの1 年であるが、新規メモリの3DXPoint関連が以下の通り3D XPoint搭載のOptane SSDとして続いていく。◎Comparing XPoint memory architecture withNAND and DRAM products（10月3日付け ELECTROIQ）　→ TechInsightsのSenior Technical Fellow、Dr.Jeongdong Choe氏記事。IntelのOptane XPointメモリ技術について、メモリセル構造、材料、セルアレイおよびメモリ周辺アレイ設計、レイアウト、プロセスフローおよび回路構成を解析した概要。Intel XPointメモリは、PCMおよびselectorメモリ（ストレージ）セルelementsが基本。GST-ベースPCM、Ge-Se-As-SiベースOvonic ThresholdSwitch（OTS）およびtwo memory cell stackedアレイアーキテクチャーは、IntelおよびMicronのXPoint技術に共通である。◎Intel releases first Optane SSD for desktops,workstations- Intel ships Optane SSD 900P line, priced at＄389 and ＄599（10月30日付け　ZDNet）　→＄389から始めて、IntelのOptane SSD 900Pシリーズは、U.2 あるいはHHHL外形、280GBあるいは480GBのいずれかで出荷され、競合するsolid-state storagedrivesを打破する速度が得られる。◎Intel unveils Optane DC persistent memoryDIMMs : 'This is a new class of storage'- Intel announces what it calls a new tier ofmemory for memory-intensive workloads.- Optane DC memory modules debuted by Intel（5月31日付け ZDNet）　→ Intelが、Optane DC persistentメモリモジュールを投入、DRAMsでなくDDR4 外形の同社3D XPointメモリ半導体で作られている。128 gigabytes, 256GBおよび512GBの容量の該dual-inline memory modules（DIMMs）は、今年限定顧客に、2019 年中に一般に向けて出される。　3D NANDフラッシュおよび3D XPoint技術開発はインテルとMicronが共同で進めてきているが、2019 年前半に完了予定の第2世代より先はそれぞれ独立に取り組むと発表して、インテルとしての今後の計画があらわされている。