ブックタイトル実装技術12月号2018年

概要

実装技術12月号2018年

303????????????連????????業????????????????（??の??）半導体実装（株）ザイキューブもう1 つ、SK Hynixについて、72-層512Gb 3D NAND搭載の企業向けsolid-state drives（SSDs）の展開である。◎To Meet Growing eSSD Market : SK HynixDevelops Enterprise SSD with 72-Layer 512Gb3D NAND Flash- SK Hynix puts 72-layer 512Gb 3D NAND flashin SSD（2月4日付け BusinessKorea magazine online）→ SK Hynixが、同社の新しいenterprises向けSATAsolid-state drivesに72-層512-gigabit 3D NANDフラッシュメモリデバイスを取り入れていく。　IHS Markitは、昨年の世界SSD市場が＄25.1 billionと評価、年率5.6 ％で伸びて2021 年までに＄31.2 billionに達すると予想、うちenterprise SSD（eSSD）市場は＄13.4billionから＄17.6 billionに7 ％ のcompound annualgrowth rate（CAGR）で増大するとしている。　SK Hynixの72-層TLC NANDについて調査会社によるteardown解析結果があらわされている。◎Diving into SK's 72-Layer NAND（6月11日付け EE Times/Blog）→ TechInsightsが、256-Gbit SK Hynix 72 - 層 TLCNANDを探求調査、第4世代3Dフラッシュ半導体で市場で最高のgate stackとのこと。　　NANDフラッシュメモリは今年に入って価格低下が続いているが、サムスンとSK Hynixともに生産capacity拡張計画をここにきて先延ばしする様相が見られている。市場動向を見据えた更新が続きそうである。◎Samsung, SK Hynix reportedly to deferexpansion plans- Report : Samsung, SK Hynix to hold off oncapacity expansion plans（9月6日付け DIGITIMES）　→業界筋発。Samsung ElectronicsおよびSK Hynixともにcapacity拡大計画を延期する意向、顧客需要の低迷が2019 年前半を通してDRAMおよびNANDフラッシュメモリ価格を引きずりおろしていく。グローバルNANDフラッシュ市場は、伝統的にpeak seasonであるにも拘らず2018 年第三四半期に依然供給過剰である。サプライヤが64-および72-層3D NANDフラッシュoutputを引き続き立ち上げ、notebookおよびスマートフォン市場の飽和による需要の伸びの抑制があわさって、メモリ価格を下げる要因と同定されている。いっぽう、該業界supply chainはsubstandard NANDフラッシュ半導体で溢れており、メモリ価格へのさらにマイナスインパクトとなっている。NANDフラッシュ契約価格は、第三四半期に予想を上回る前四半期比10-15％の低下、第四四半期にはさらに15％下がりそうである。　中国独禁当局の「承認」が出て米ファンドのベインキャピタルを軸とする企業連合への売却がこの5月半ばに決まった東芝メモリであるが、その前後この1年の動きが以下の通りである。まずは昨年秋、3Dフラッシュメモリ、BiCS FLASH生産に向けた四日市工場への追加投資である。◎Toshiba Memory Corp to invest in productionequipment for Fab 6 at Yokkaichi operations（10月11日付け ELECTROIQ）→東芝の役員会が、フラッシュメモリを製造する完全子会社、Toshiba Memory Corporation（TMC）への追加投資を承認、Yokkaichi Operationsにて建設中のFab 6クリーンルーム用製造装置向けとなる。Fab 6における第2投資として約110 billion円。Fab 6での生産は、東芝の革新的な3Dフラッシュメモリ、BiCS FLASHに完全に絞られている。　最大2 terabytesのデータを蓄えられるclient solid -state drives（SSDs）に向けた3D NANDフラッシュへの取り組みである。◎Toshiba sampling 2Tb Flash chips- Toshiba Memory debuts flash-based SSDs（11月29日付け Electronics Weekly（ UK））→東芝メモリが、最大2 terabytesのデータを蓄えられるclient solid-state drives（SSDs）の新しいXG5-Pラインにおいて4モデルを投入、また、BiCS FLASH 3DおよびJEDECのUniversal Flash Storage（UFS）仕様version2.1を用い、32 gigabytes, 64 GB, 128 GBおよび256GBの容量の3D NANDフラッシュメモリデバイスについてサンプル配布している。　3D NAND量産ラインへのスマートファクトリー技術の導入である。