ブックタイトル実装技術12月号2018年

概要

実装技術12月号2018年

293????????????連????????業????????????????（??の??）半導体実装（株）ザイキューブ8月7-9日 ： Santa Clara Convention Center）にて3D NANDフラッシュメモリデバイスの新製品&技術を議論しているいっぽう、業界newcomerである中国のYangtzeMemory Technologyはジャーナリストと会って市場への計画を論じている。solid-state drives（SSDs）に入るNANDフラッシュ半導体は、データストレージでの市場席巻に向けてhard-disk drives（HDDs）と力強く競合している。　NAND半導体output全体における3D NAND比率の大手各社における比率の高さに改めて気づかされるところである。◎3D NAND accounts for over 60％ of global NANDflash bit output（9月25日付け DIGITIMES）　→業界観測筋発。主要NANDフラッシュ半導体ベンダーの生産capacitiesの60 ％ 超が64/72-層3D NANDプロセス技術を活用、3D NANDが主流技術となっている。NAND半導体output全体における3D NANDの各社比率：　Samsung Electronics ・・・・・・・ 85％　東芝/Western Digital ・・・・・・・・ 75％　Micron Technology ・・・・・・・・・・・ 90％　SK Hynix ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 60％　ここから主要各社のこの1 年の動きである。まずは、メモリ半導体を圧倒的に引っ張るサムスンから。3D NANDの主要拠点、西安工場の拡張である。◎Samsung expands Xi'an chip facility to buildglobal semiconductor base- Samsung begins expansion of its fab in China（ 11月15日付け Global Times（ China））→ Samsung Electronicsが、中国陝西省西安（Xi'an,Shaanxi province, China）にあるウェーハfab拠点の＄7billion拡張建設を開始、2019 年に稼働すると、V-NANDフラッシュメモリ半導体の量産に用いられる。　上にも示したが、NANDフラッシュ製品について3DNANDフラッシュの比率の高さである。◎Signaling End of Flat NAND Flash Era- Percentage of 3D NAND Flash ProductionExceeds 80％ at Samsung（1月4日付け BusinessKorea）　→SamsungのNANDフラッシュ製品の間での3D NANDフラッシュの比率が、昨年第四四半期に80％を上回った。Samsung Electronicsは、いくつかの車載メモリ製品を除いて今年のうちに大方のNANDフラッシュ製品を3D onesに転換、NAND生産全体における3D NAND生産比率を90 ％超に高める計画である。　DRAMの最高性能を狙った8 GB High BandwidthMemory-2[HBM2]の取り組みである。◎AI Fuels Next - Gen HBM Demand（1月16日付け EE Times）→ high bandwidth memory（HBM）が先週推進力を得ており、Samsung Electronicsが同社第2 世代技術、Aquaboltの量産開始を発表している。SamsungのHighBandwidth Memory製品マーケティングmanager、Tien Shiah氏は、次世代スーパーコンピュータ、artificialintelligence（AI）およびグラフィックスシステム用に設計されている該8 GB High Bandwidth Memory-2（HBM2）により、1.2Vで2.4 gigabits-per-second（Gbps）データ転送速度/pinと今日最高のDRAM性能水準および最高速データ伝送レートが得られる、としている。　サムスンの3D NAND最先端の取り組みが以下のようにあらわされている。96-層が当面の目標とする各社の発表が見られる現時点である。◎サムスン、最新技術でNAND量産（7月25日付け 日経産業）　→韓国サムスン電子は最新の3次元化技術でNAND型フラッシュメモリの量産をはじめた。記憶素子を90層以上、立体的に積み重ねる技術で、生産効率が3割高まった。スマートフォンやサーバの記憶媒体に使うNANDの世界市場で首位固めを狙う。NANDの生産では3次元化が主流だが、東芝や韓国SKハイニックスは記憶素子を60～70層程度積む水準にとどまっている。最新技術で量産したNANDはデータの伝送速度が4割速くなるいっぽう、動作電圧は3割小さくなる。　次に、サムスンとともにメモリ半導体を引っ張る韓国2 強の