ブックタイトル実装技術11月号2017年特別編集版

概要

実装技術11月号2017年特別編集版

29課題となろう。■技術講演2最大接合温度200 ℃対応の疲労抑制構造SiCモジュール産業技術総合研究所・野津浩史氏（図3）　講演内容は、高温動作SiCモジュール実現のためには、接合材とSiCの熱変形整合が有効となること。基板の線膨張係数にならうような工夫の解説。■技術講演3SiCを中心としたパワーデバイスの高耐熱接合早稲田大学教授・巽宏平氏（図4）　講演内容は、SiCの特徴を最大限に活用するための高温耐熱接合技術の紹介と、ワイヤボンディングの有効性の説明。また、Niマイクロメッキ接合の紹介と将来の有望性の解説。■技術講演4高耐熱パワーモジュールのパッケージ技術大阪大学特任教授・加柴良裕氏（図5）　講演内容は、パワーモジュールはIGBT等の損失提言と小型化が進展している。パワーモジュールの高放熱化構造は車載用を中心として開発されている。高信頼背のためのワイヤボンディング技術の新たな開発が進んでいることの解説。などである。　印象的であったのは、SiCやGaNはまだまだこれから先の技術であり、当面はSi－IGBTが主流であることには揺るぎがないということであった。各先生方は熱の問題を主テーマに取りあげられていたが、熱の問題は大きな課題となろう。　講演終了後の質疑応答では、各セッションとも活発な質問が出た。　参考までに、NPOサーキットネットワークの詳細は、今年からリニューアルされたホームページ 1）をご参照いただきたい。＜参考URL＞1）http://npo-c-net.jp/図3　最大接合温度200℃対応の疲労抑制構造SiCモジュール図4　SiCを中心としたパワーデバイスの高耐熱接合図5　高耐熱パワーモジュールのパッケージ技術図2　車載用パワーデバイスの実装技術と動向図1　IoT時代のパワーデバイスの開発状況と課題