ブックタイトル実装技術２月号2017年特別編集版

概要

実装技術２月号2017年特別編集版

33はdouble-data-rate（DDR） off-chipメモリアーキテクチャーで得られるバンド幅でしばしば制限されるが、ASIC-メーカー、Open-Silicon（Milpitas, Calif.）が、off-chipメモリアーキテクチャーに打ち勝つ1,024-ビットparallelメモリインタフェースをもってhigh-bandwidth memory（HBM） 3D stackedメモリ半導体を同じsystem-inpackage（SiP）に統合、その問題を打開している。「シリコンinterposer 2.5D 技術を用いて、ASICパッケージに統合された3Dメモリstacksを提示している」（Open-SiliconのIP and Engineering Operations、vice president、Hans Bouwmeester氏）（図1）。2. 3次元NANDフラッシュメモリ「V-NAND」　当面の半導体市場を支えていく期待の3次元NANDフラッシュメモリ、3D NANDとなっており、先頭を走るSamsungはじめ各社、そして新技術、3D XPointに纏わるこの1 年の動きを時間順にまとめて示す。（1）全体動向◎Samsung's 3D V-NAND 32L vs 48L--JustVertical Expansion?（2016 年6月27日付け EE Times/Blog）→解析調査のTechinsights、Senior Technical Fellow、Jeongdong Choe氏記事。Samsung の32 層および48層3D V-NANDの間の構造的差異について。現時点、Samsung 32L & 48L 3D V-NAND製品およびMicron/Intel 32L 3D NANDが商用市場に出されており、Toshiba,SanDiskおよびSK-Hynix 3D NANDデバイスは商用向け出荷はされておらず、3D NAND主流への参入に予想より時間を要している。（2）Samsung◎Samsung Xian fab generates CNY11.51 billionin January-August output value, says China paper（2015 年10月20日付け DIGITIMES）　→ 中国紙、Xian Daily 発。Samsung のXian（ 西安）,Chinaにある12- インチウエハfab の2015 年1-8 月生産額総計がCNY11.509 billion（$1.81 billion）となり、2015 年全体ではCNY15 billionに上る見込み。Samsungは、2014 年5 月に該メモリ製造ラインがfullscale製造operationsを開始と発表、ここではSamsungの先端NANDフラッシュメモリ半導体、3D V-NANDを製造、としている。◎Samsung ships the world's highest capacitySSD, with 15TB of storage-Samsung's 15TB SSD begins shipments toresellers（2016 年3月2日付け Computerworld）→ Samsung Electronicsが、PM1633a solid-statedrive（SSD）の出荷を開始、最大512個のV-NANDフラッシュメモリデバイスが入り、15.36 terabytes のデータストレージが得られる。該2.5-インチSSDは、enterprise 応用向けに設計され、resellersに出荷されている。該driveは、480 gigabytes, 960GB, 1.92TB, 3.84TBおよび7.68TB の容量でも今年出てくるとのこと。◎First Look at Samsung's 48L 3D V-NAND Flash（2016 年4月6日付け EE Times/Blog）　→ TechInsightsのProduct Line Manager、KevinGibb 氏記事。Samsungは2015 年8 月、同社256 Gb3-bit multi-level cell K9AFGY8S0M 3D V-NANDを発表、これをいろいろなsolid state drives（SSD）で使用、2016 年始めに市場に登場するとしていたが、2TBcapacity, mSATA, T3 portable SSD の中にその言葉通図1　Open Silicon's high-bandwidth memory（ HBM）enables 1024-bit wide memory paths to application specificintegrated circuits（ ASICs） using 3D system in a package（SiP） solution.（Source: Open Silicon, used with permission）