ブックタイトル実装技術2月号2017年特別編集版
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実装技術2月号2017年特別編集版
15半導体パッケージの熱変形検査技術検査技術 装置概要1. 装置仕様・構造 図2に装置の外観を、表1に装置の主な仕様を示す。図3は装置の構造を示す模式図である。主要な構成要素は、サンプルの表面形状を計測する計測機構部分とサンプルを加熱する加熱炉であり、これらについては次節以降で詳述する。加熱中は、サンプルだけでなく加熱炉自体も高温になることから、安全に配慮して装置全体が筐体で覆われており加熱中は扉がロックされている。それによる筐体内部の温度上昇を防ぐためにエアコンディショナを備えている。2. 動作概要 加熱炉にサンプルをセットしスタートボタンを押すと、事前に設定された温度プロファイルに基づきサンプルが加熱される。温度プロファイルには最大32 点の計測温度を設定できる。計測温度まで加熱されると、そこで温度が一定に維持され計測動作が開始される。計測が完了すると次の設定温度まで加熱され、また計測が実施される。後は同様にすべての設定温度で加熱・計測がなされ、最後に室温(安全温度)に戻って一回の計測シーケンスが完了する。温度プロファイルとその計測結果の例を図4に示す。3. データ解析 データ解析として、3次元計測器で計測された表面形状点(株)東光高岳2表1 HVI-8000-RC仕様 図4 温度プロファイルと計測結果の例図2 装置(HVI-8000-RC)外観 図3 装置構造