ブックタイトル実装技術12月号2016年特別編集版

概要

実装技術12月号2016年特別編集版

21半導体実装　『2015年度版日本実装技術ロードマップ』によれば、「21世紀は、より高度な情報通信ネットワーク社会の構築が進展し､高性能な携帯電子機器の普及が進む｡（中略）三次元化としてはNANDフラッシュメモリの大容量化へのニーズが高く、9チップ積層のデバイスが量産されている。ウェハの極薄型化、特に極薄ウェハのハンドリングが課題である。また、極薄チップの抗折強度が低くなるため､パッケージの低応力構造化も必要になる。　さらなる多チップ積層に関しては、TSV技術が実用化される。高速化のために、システムLSIやマイコンへのTSV技術の応用も期待される。現状、Siウェハへの貫通孔の形成技術と電極の理め込み技術の低コスト化が実用化に向けての大きな課題となっている。また、高密度実装化のためには、インターポーザへの部精密荷重制御機構を用いた焼結接合装置による高耐熱パワーデバイス実装大阪大学 産業科学研究所 / 下山　章夫、 長尾　至成、 菅沼　克昭3次元半導体の技術、ビジネス、業界動向（その①）（株）ザイキューブ洗浄機構の見直し既存洗浄方式の限界 難関洗浄への挑戦ゼストロンジャパン（株） / 加納　裕也品内蔵化が進展する。LSIチップを内蔵したSiP製品は過去に量産化された実績はあるものの、今後さらなる展開をするためには、KGD 保証と共にリワークの手段を開発していく必要がある。小型化や高速化に対応しては、シリコンインターポーザも広く使われるだろう。高密度化に伴う放熱がデバイス性能を制約するようになり、その制約を破るためにパッケージではジャンクションからケース表面までのθjcを下げる努力がなされている｡しかし､最終的にはシステム全体での放熱設計がデバイスの性能を決める。」としています。　本特集では、半導体実装をめぐる現状と今後の展望を探る論文をご紹介します。ぜひご参照ください。