ブックタイトル実装技術12月号2016年特別編集版

概要

実装技術12月号2016年特別編集版

18■卓上型真空はんだリフロー装置／　酸化膜還元装置『RSS-210-S』　ギ酸／水素還元対応の卓上型真空はんだリフロー装置／酸化膜還元装置。主な特徴は、①フラックスレスはんだ（還元方式）に対応、②最大200×200mm基板に対応、③外形寸法：W430×D295×H290mm、④卓上型サイズながら最大到達温度400℃を実現、⑤大気リフロー、窒素ガスパージリフロー、真空リフローに標準対応、⑥ギ酸還元リフロー、フォーミングガス（水素＋窒素）リフローにオプションで対応可能、⑦ワーキングエリアをガスシールドしているためコンタミを気にするプロセスやその他のクリチカルなプロセスに使用可能、⑧下面からのIR（赤外）ヒータで加熱すため正確で高速な加熱を実現、⑨適切な真空ポンプとの組み合わせにより最大0.1Pa（10-3hPa）の真空環境を実現可能、など。＜請求番号 M7013＞■真空プロセス高速加熱炉　『VPO-1000-300』　トップローディング方式を採用した真空プロセス高速加熱炉。主な特徴は、①φ300mm（12インチ）ウエハ対応、②外形寸法：W504×D504×H830mm、③卓上サイズながら最大到達温度1000℃を実現、④窒素ガスパージ、酸素ガスパージ、フォーミングガス（水素＋窒素）パージなどに対応、⑤ワーキングエリアをガスシールドしているためコンタミを気にするプロセスやその他のクリチカルなプロセスに使用可能、⑥上下48本のIR（赤外）ヒータによって加熱するため正確で高速な加熱を実現、⑦適切な真空ポンプとの組み合わせにより最大0.1Pa（10-3mbar）の真空環境を実現可能、⑧窒素ガスパージ方式による降温に対応、⑨タッチパネル式モニタを標準装備。タッチ操作により簡単にオペレーション可能、など。　　　　　　　　　 ＜請求番号 M7014＞卓上型真空はんだリフロー装置／酸化膜還元装置、他ユニテンプジャパン（株）PR■真空／プロセスガス高速アニール　加熱システム『RTP-100』　試作開発に最適な、Φ4インチ対応のタッチパネル式真空／プロセスガス高速アニール加熱システム。主な特徴は、①装置筐体部の冷却機構を標準装備。安全に配慮しながら最大到達温度1200℃を実現するため、SiAu、SiAl、SiMoなどのアニーリングプロセスだけでなくペースト材料などの焼結プロセスにも適する、②高速赤外（IR）ヒータを装備し、最大毎分2100℃以上（毎秒35℃以上）の高速昇温が可能、③プロファイルプログラムの指示値による任意の昇温速度で昇温させられる、④降温プロセスでは冷却用窒素ガスをチャンバ内に供給することで処理後のデバイス表面にダメージを与えることなく安全に冷却できる、⑤多彩なガスパージ環境に対応、など。　　　　　　　　　 ＜請求番号 M7015＞■ギ酸ガス／水素ガス両対応真空はんだ　リフロー装置『VSS-450-300』　試作開発用途の他、インラインシステムにも組み込み可能なギ酸ガス／水素ガス両対応真空はんだリフロー装置　主な特徴は、①装置筐体部の冷却機構を標準装備し、最大到達温度450℃を実現。はんだリフローとしてのだけでなくぺ－スト材料などの焼結テストにも最適、②高速赤外（IR）ヒータを装備し､最大毎分100℃以上（毎秒1.7℃以上）の高速昇温が可能、③高速降温を実現するための水冷システムを標準装備、④大気リフロー、真空リフロー、窒素ガスパージリフロー、またその組み合わせに標準装置で対応する他、オプションのギ酸ガスモジュール、高濃度水素ガスモジュールを追加装備しておりフォーミングガス水素パージ環境、ギ酸ガスパージ環境、高濃度水素ガスパージ環境に1台で対応、など。　　　　　 　　　　　　　　　　　 ＜請求番号 M7016＞