ブックタイトル実装技術1月号2016年特別編集版

概要

実装技術1月号2016年特別編集版

63◎ 新世代フラッシュメモリ、サムスン電子が世界初量産化　（2014年10月10日付け 韓国・朝鮮日報）→サムスン電子が9日、世界初、3ビット/セルのV?NAND型フラッシュメモリの量産を開始したと発表、V?NAND 型フラッシュメモリは半導体を3 次元の垂直構造に重ねたフラッシュメモリを指す。新製品はサムスン電子が5月に発表した第2 世代のV-NAND 型フラッシュメモリを改善したもの。これまでの製品はフラッシュメモリの基本単位となるセルで2ビットのデータしか扱えなかったが、新製品は3ビットのデータを扱えるようにしている。サムスン電子は新製品でハードディスクに変わる記録媒体となるソリッドステートドライブ（SSD）市場を開拓していく構え。　TLC 品を用いた一般消費者市場向けSSD（Solid StateDrive）製品の発売が、間を置かず続いている。◎サムスン電子、世界初の「3ビット V-NAND」ベースの消費　者用SSD発売　（2014年12月9日付け 韓国・中央日報）→サムスンが世界で初めて「3ビット V-NAND」ベースで製作した消費者用「ソリッドステートドライブ（SSD）」を公式発売した。SSDはNAND 型フラッシュメモリで作るため、従来のハードディスクドライブ（HDD）とは違いモータなしでメモリ半導体にすばやく情報を保存でき、このため軽量というだけでなく駆動速度も4 倍以上となり、PC 起動時間を大幅に短縮することができる。世界で初めてセル一つに3ビットを保存するTLC（トリプル・レベル・セル）技術を適用、2 次元平面技術を使う日本の東芝とは違い3 次元垂直構造で半導体セルを積層した「V-NAND（Vertical NAND）」技術を採用している。　最先端の256-Gビット品の量産が開始され、48層のセルアレイ構成となっている。◎Samsung mass-produces 256-gigabit vertical　NAND chips-Samsung starts volume productionof 256Gb 3D NAND flash　（2015年8月11日付け Yonhap News Agency（ South Korea））→ Samsung Electronics が、256-gigabit verticalNANDフラッシュメモリデバイスの量産を開始、solid-statedrives（SSDs）などの応用向け。該V-NANDメモリは、3-ビットmultiple-levelセルアレイが48 層ある。　これまた、SSD 製品の発表が続いている。ハードディスクドライブ（HDD）に代わるSSD 市場で、サムスンは50 ％以上の占有率で1位を走っている。◎Samsung ups the SSD ante with faster,　higher capacity drives　-These look like the fastest consumer drivesever, until someone one-ups Samsung.　-Samsung debuts 3 SSDs with 3D NAND flashmemories　（2015年8月13日付け ITWorld.com）→ Samsung Electronicsが、3D V-NANDフラッシュメモリデバイス搭載の次の3つのsolid-state drives（SSDs）を投入の旨。　?PM1725モデル……　 3.2 terabyte 及び6.4 TB configurations　?PM1633モデル……　 480 gigabytes, 960 GB 1.92 TB及び3.84 TB　?PM953モデル……　 480 GB, 960 GB and 1.92 TB sizes　サムスンがリードするなか、これを追う各社の状況である。インテルとフラッシュメモリで連携しているマイクロンは、以下の取り組みを発表している。◎Micron and Intel unveil new 3D NAND flash memory　（2015年3月26日付け ELECTROIQ）→ Micron Technology 社とIntel Corporation が、世界最高密度のフラッシュメモリ、両社の3D NAND 技術を披露している。両社共同開発のこの新しい3D NAND 技術は、並外れた精度でデータ蓄積セル層を垂直に重ね合わせ、競合するNAND技術の3倍の容量のストレージデバイスを作り出した。垂直に32 層でフラッシュセルを重ね合わせ、標準パッケージに入る256Gビットmultilevel cell（MLC）及び384Gビットtriple-level cel（l TLC）dieを得ている。◎ 米インテルとマイクロン、3Dフラッシュ共同開発－　記憶容量32ギガバイト　（2015年3月30日付け 日刊工業新聞）→米インテルと米マイクロンテクノロジーが、記憶素子を垂直に積層する3 次元（3D）構造を採用したNAND 型フラッシュ