ブックタイトル実装技術12月号2015年特別編集版

概要

実装技術12月号2015年特別編集版

39込んだと思われる欠陥が見られる。4. フリップチップ接合部の断面観察（その2）　FIB-SEMにより、フリップチップ接合部を約40μm 立方の領域で3次元観察を行った（図4）。XY軸方向に200nmステップで約200 枚のSEM 像を撮影し、その結果を3次元合成し、6 水準のデジタルスライス像を抽出した。これらの結果により接合部のボイド形状などの詳細構造が観察できた。5. BGAはんだ接合部の　 冷熱サイクルによる劣化　Sn-Ag-Cu はんだボールとAu ／ Ni?PめっきCu 板の接続した試料を、?55 ℃→ 125℃、30 分→?55 ℃、30 分のサイクルを2,000 回行い、接合部のダメージを観察したところ、一番端のボールのみが大きなダメージを受けてほぼ破断の状態であった。端のバンプは冷熱による膨張／収縮のストレスの影響が大きいと思われる（図5）。6. パッケージからの放熱特性　パッケージ内のチップからヒートシンクへの熱の流れは、チップ→ダイアタッチ→ダイパッド→グリース→ヒートシンクが一般的である。　SiC MOSFETに熱衝撃を与えて、その前後の熱抵抗と熱容量の変化を測定したのが図6である。　熱衝撃ではんだ層に何らかの図5　冷熱2000サイクル後のバンプのダメージ状態図6　SiC　MOSFETの熱衝撃前後の放熱特性図3　フリップチップの断面写真図4　Cuピラー・フリップチップ接合部の3D-SEM観察結果