ブックタイトル実装技術9月号2015年特別編集版

概要

実装技術9月号2015年特別編集版

33光を行う場合、1 回目、2 回目ともに隣接パターンが離れているので近接効果が少なく、実効的なk1 値が1/2 近くに下がり、パターンピッチ1/2が実現できる。図2 のような、フォトレジストを用いないで1/2を実現するSADP（Self AlignDouble Patterning）法もあって生産に使用されている。　化学増幅型フォトレジスト（CA：Chemically Amplified）：ステッパーのスループットを向上させるため、感度の良い化学増幅型レジストが開発された。酸発生材を加えて露光すると、酸（図3のH＋）が発生する。露光後に約100℃でベーキング（PEB：Post Exposure Baking）を行うと、ポリマの端部にある保護基（R’）が脱離し、アルカリ水溶液に可溶なポリマを作る。脱離した保護基（R’）は酸（H+）を放出して別の分子になる。これを繰り返すことにより反応が進行する。2. LSI用フォトレジストの問題点と　 TOKの対応　パターンが微細化されるにつれて、パターン端のラフネス（ギザギザ）が問題となってきた。これをLWR（Line Width Roughness：線幅ばらつき）、またはLER（Line Edge Roughness：線端ばらつき）と呼んでいる。　Gate length 30nm のMOSを作る時、LERが5nm あると、両側から10nmもばらつくことになり、MOS の特性が一定せず設計できない。LERの原因はいろいろあるが、中でもレジストの高分子の大きさが問題といわれており、これを避けるレジストの開発が行われている（図4 参照。LER の目標は2nm）。図2　膜付けとエッチングによるSADP技術図4　Line Edge Roughnessは分子の大きさが問題に図3　化学増幅型フォトレジストの露光原理AmplifiedReaction