ブックタイトル実装技術8月号2015年特別編集版

概要

実装技術8月号2015年特別編集版

10■耐落下衝撃性と耐熱疲労性を両立する　『M770』　モバイル機器には耐落下衝撃性はもちろん、小型・高密度実装化に伴う内部温度上昇にも耐える耐熱疲労性も同時に求められている。『M770』は、Ag 含有量の最適化で柔軟性とバルク強度を確保し、添加元素で破断しやすい接合界面の化合物層を改質して両立を実現している（図1）。　 　　　　　　　　＜請求番号 H7007＞■ウエハへのバンプ形成に適する　『M758』　電気電子機器の高機能化に伴い、チップサイズの大型化が進み、基板との熱膨張係数差によるはんだ接合部への応力がより大きくなっている。『M758』はBi添加による固溶強化と、AgやCuの析出強化でバルク強度を確保し、Niの微量添加で接合界面の化合物層を改質してクラックを抑制した（図2）。　　 　　　　　　　　 ＜請求番号 H7008＞半導体実装用ソルダボール千住金属工業（株）PR■耐熱疲労性を重視する『M60』　『M60』は、Ag量を低下することで軟材料化し、はんだの応力吸収力を高めクラックを抑制、NiとXの微量添加で熱応力負荷後でも析出強化によるネットワーク層の消失を抑制し、Snの粗大化抑制と界面反応層の成長を抑える事でクラックの進展を抑制、電気電子機器の長寿命化を実現する。　　　　　　　　 ＜請求番号 H7009＞■3次元実装の空間を確保する　『銅核ボール』　ソルダボールで基板を縦方向に接続する3次元実装では、リフロー時に自重でソルダボールが潰され、電気的短絡や3次元構造を維持できないという課題がある。同社では、独自の造粒技術により、はんだ付け温度では溶融しない狭公差高精度の銅ボールに高度なめっき技術でNiとはんだめっきの3層構造とする銅核ボールを開発することによって、この課題を解決している（図3）。　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　 ＜請求番号 H7010＞図1　基板へのバンプ形成には、耐熱疲労性と耐落下衝撃性を両立した『M770』が適している図3　3 次元実装の空間確保には銅核ボールが適している図4　次世代の半導体パッケージングへの提案図2　ウエハへのバンプ形成には、接合界面を改質した『M758』が適している