ブックタイトル実装技術１２月号2013年特別編集版

概要

実装技術１２月号2013年特別編集版

13半導体実装　『2013年度版日本実装技術ロードマップ』によれば、「21世紀は、より高度な情報通信ネットワーク社会の構築が進展し､高性能な携帯電子機器の普及が進む｡（中略）三次元化としてはNANDフラッシュメモリの大容量化へのニーズが高く、9チップ積層のデバイスが量産されている。ウェハの極薄型化、特に極薄ウェハのハンドリングが課題である。また、極薄チップの抗折強度が低くなるため､パッケージの低応力構造化も必要になる。　さらなる多チップ積層に関しては、TSV 技術が実用化される。高速化のために、システムLSIやマイコンへのTSV 技術の応用も期待される。Siウェハへの貫通孔の形成技術と電極の理め込み技術の低コスト化が実用化に立ちはだかっている。また、高密度実装化のためには、インターポーザへの部品内蔵化が進展する。IC内蔵基板（SESUB）と3D実装における今後の展望TDK（株） / 土門　孝彰、 八木沼　一郎、 可知　秀樹TSVによる3Dと2.5D実装の動向長野実装フォーラム / 傳田　精?3次元半導体の技術及び業界動向（株）ザイキューブ　既にLSIチップを内蔵したSiP製品は過去に量産化されているが、今後さらなる展開をするためには、KGD 保証と共にリワークの手段を開発していく必要がある。小型化や高速化に対応しては、シリコンインターポーザも広く使われるだろう。高密度化に伴う放熱がデバイス性能を制約するようになり、その制約を破るためにパッケージではジャンクションからケース表面までのθjcを下げる努力がなされている｡しかし､最終的にはシステム全体での放熱設計がデバイスの性能を決める。」としています。　今日の実装業界にあって、半導体実装の現状と今後の展望はどうなのか。本特集ではその両面を探る論文をご紹介します。　　　　　　　　　　　　　<参考文献>一般社団法人 電子情報技術産業協会発行：2013年度版日本実装技術ロードマップ（2013）