実装技術10月号2012年特別編集版 page 29/48

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27ルネサスの高耐圧パワーデバイスの取り組み電子部品技術ルネサス エレクトロニクス（株）5 67　　　SiC複合パワーデバイス　当社では、SJ-MOS-FET、IGBT、SiC-SBD など数多くのパワー半導体を開発・製品化している....

27ルネサスの高耐圧パワーデバイスの取り組み電子部品技術ルネサス エレクトロニクス（株）5 67　　　SiC複合パワーデバイス　当社では、SJ-MOS-FET、IGBT、SiC-SBD など数多くのパワー半導体を開発・製品化している。そこで、パワーエレクトロニクス機器向けのさらなる低損失化及び機器品質の向上のために、新材料のSiCSBDと高性能の高耐圧トランジスタ（SJ-MOSFET、もしくは、IGBT）を1 パッケージ化した『SiC 複合パワーデバイス』シリーズを業界で初めて製品化した（※ 2012 年9 月10 日、当社調べ）。　これらの製品はSiC-SBDの採用と回路の1パッケージ化により、従来のダイオードによる単品構成時と比べ、①マルチチップパッケージによる実装面積の低減、②チップ間配線の寄生成分削減が可能となり、波形品質の向上及びEMIノイズの低減、が可能になった、という特徴によって、機器の省電力化、省スペース化、そして、低EMI 化に貢献する（図6 ～図9）。　　　関連製品　ご存知の通り、高耐圧パワーデバイスは、モータやインバータなどに電力を供給するスイッチングデバイスであり、その制御には、マイコンやフォトカプラなどが使用される。当社では、モータ、インバータ用途向けのローパワーマイコン『RL78ファミリ』やミッドレンジマイコン『RXファミリ』など、幅広い製品ファミリをご用意している。また、高いシェアをもつパワー半導体駆動用のフォトカプラなどとのキットソリューションの拡充も進めており、今後、新製品を搭載したリファレンスボードなどを準備し、お客様でのアプリケーション評価や機器設計の支援を進めていく。　　　結び　当社は、マイコンとアナログ＆パワーデバイスのトータルソリューションの提供によるお客様への貢献を通して、パワーデバイスメーカとしての世界トップグループ入りも目指しており、今後も、これらの高耐圧パワーデバイスを中核製品として位置づけ、開発を強化していく。図7　RJQ6020DPM（PFC用） 図8　RJQ6021DPM（PFC用） 図9　RJQ6022DPM（インバータ用）図6　5ピン3P-FM